.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

UJ3C065080K3S 碳化硅MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格	商标名
	碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247 UJ3C065080K3S onsemi 1: ¥105.0109 679库存量	制造商零件编号 UJ3C065080K3S Mouser 零件编号 431-UJ3C065080K3S	onsemi	碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247 了解更多关于onsemi uj3c sic fets 的信息	数据表	679库存量	¥105.0109 ¥57.7543 ¥57.6639	最低： 1 倍数： 1 最大： 300			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	31 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
	碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3 UJ3C065080B3 onsemi 1: ¥99.6208 160库存量寿命结束	制造商零件编号 UJ3C065080B3 Mouser 零件编号 431-UJ3C065080B3 寿命结束	onsemi	碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3 了解更多关于onsemi uj3c sic fets 的信息	数据表	160库存量	剪切带 ¥99.6208 ¥72.094 ¥60.0143 ¥53.4942 卷轴 ¥50.0251	最低： 1 倍数： 1 : 800			SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	1 Channel	650 V	25 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET

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