UJ4C075033K4S

Name: onsemi UJ4C075033K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ4C075033K4S
Price: 130.82 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

431-UJ4C075033K4S

制造商编号：

UJ4C075033K4S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247

数据表:

UJ4C075033K4S 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	750 V
Id-连续漏极电流:	47 A
Rds On-漏源导通电阻:	41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	6 V
Qg-栅极电荷:	37.8 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	242 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	SiC FET
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	7 ns
封装:	Tube
产品:	SiC FET
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	19 ns
系列:	UJ4C
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	18 ns
典型接通延迟时间:	12 ns

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

High-Performance SiC FETs

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UJ4C/SC 750 V Gen 4 SiC FET

Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4碳化硅FET是高性能系列，具有业界最佳的性能品质因数，可在更高速度下降低导通损耗并提高效率，从而提高整体成本效益。Gen 4系列有5.4mΩ 至60mΩ 选项可选，基于独特的共源共栅配置，其中高性能碳化硅JFET与共栅优化的Si-MOSFET共同封装，形成标准栅极驱动碳化硅器件。UJ4C/SC 750V FET的标准栅极驱动特性可实现直接替换功能。设计人员可以通过用Qorvo UJ4C/SC FET替代现有Si IGBT、Si FET、SiC FET或Si超级结器件，在不改变栅极驱动电压的情况下显著提高系统性能。