UJ4SC075006K4S

Name: onsemi UJ4SC075006K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ4SC075006K4S
Price: 422.34 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

431-UJ4SC075006K4S

制造商编号：

UJ4SC075006K4S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET 750V/6MOSICFETG4TO247-4

数据表:

UJ4SC075006K4S 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	750 V
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	6 V
Qg-栅极电荷:	164 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	714 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SiC FET
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	13 ns
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	40 ns
系列:	UJ4SC
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	110 ns
典型接通延迟时间:	37 ns

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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