UJ4SC075009K4S

onsemi
431-UJ4SC075009K4S
UJ4SC075009K4S

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247-

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
750 V
106 A
9 mOhms
- 20 V, + 20 V
5.5 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
SiC FET
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 13 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 34 ns
系列: UJ4SC
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 63 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
美国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UJ4C/SC 750 V Gen 4 SiC FET

Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4碳化硅FET是高性能系列,具有业界最佳的性能品质因数,可在更高速度下降低导通损耗并提高效率,从而提高整体成本效益。Gen 4系列有5.4mΩ 至60mΩ 选项可选,基于独特的共源共栅配置,其中高性能碳化硅JFET与共栅优化的Si-MOSFET共同封装,形成标准栅极驱动碳化硅器件。UJ4C/SC 750V FET的标准栅极驱动特性可实现直接替换功能。设计人员可以通过用Qorvo UJ4C/SC FET替代现有Si IGBT、Si FET、SiC FET或Si超级结器件,在不改变栅极驱动电压的情况下显著提高系统性能。

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
31 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 600   倍数: 600
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥203.9198 ¥122,351.88