UT6MB5TCR

ROHM Semiconductor
755-UT6MB5TCR
UT6MB5TCR

制造商：

说明：
MOSFET Transistor, 40V 5.0A/3.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
40 V
3.5 A, 5 A
48 mOhms, 122 mOhms
20 V
2.5 V
3.5 nC, 6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 2.7 ns, 18 ns
正向跨导 - 最小值: 1.3 S, 2.6 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 4.7 ns, 8.5 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 11 ns, 42 ns
典型接通延迟时间: 5 ns, 7.4 ns
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已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

第四代N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor第四代N沟道碳化硅 (SiC) 功率MOSFET具有低导通电阻，改进了短路耐受时间。第四代SiC MOSFET易于并联、驱动简单。此系列MOSFET具有快速开关和快速反向恢复特性，开关损耗低，最大工作温度为+175°C。ROHM第四代N沟道SiC功率MOSFET支持15V栅源电压，有助于降低器件功耗。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

库存量: 1,763

库存：
1,763 可立即发货
生产周期：
22 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥10.509 ¥10.51
¥4.8703 ¥48.70
¥4.3279 ¥432.79
¥3.3561 ¥1,678.05
¥3.2657 ¥3,265.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.6442 ¥7,932.60
¥2.4295 ¥21,865.50

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