XPH1R104PS,L1XHQ

Toshiba
757-XPH1R104PSL1XHQ
XPH1R104PS,L1XHQ

制造商:

说明:
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=132W F=1MHZ

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
40 V
120 A
1.96 mOhms
20 V
3 V
55 nC
+ 175 C
132 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Toshiba
配置: Dual
下降时间: 23 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 71 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
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已选择的属性: 0

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

UMOS9-H硅N沟道MOSFET

Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和 电机驱动器。这些MOSFET具有小栅极电荷、小输出电荷、低漏源导通电阻和低漏电流。UMOS9-H N沟道MOSFET具有80V漏源电压、 ±20V栅极-源极电压以及175°C通道温度。这些MOSFET还具有 ±0.1µA栅极漏电流、10µA漏极截止电流以及 -55°C至175°C存储温度范围。UMOS9-H N沟道MOSFET符合RoHS指令,采用0.108g 2-5W1A(SOP高级(N))封装。

库存量: 4,703

库存:
4,703 可立即发货
生产周期:
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥20.2609 ¥20.26
¥13.0741 ¥130.74
¥8.8479 ¥884.79
¥7.0738 ¥3,536.90
¥6.4071 ¥6,407.10
¥6.3054 ¥15,763.50
整卷卷轴(请按5000的倍数订购)
¥5.4918 ¥27,459.00
¥5.2319 ¥52,319.00