碳化硅MOSFET

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650碳化硅 (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650碳化硅 (SiC) MOSFET具有极低的每区域导通电阻 (R_DS(on)) 以及出色的开关性能。这样即可实现更加高效、紧凑的系统。与硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET即使在高温下也具有较低的每区域导通电阻。与各种温度范围内的优秀IGBT相比，碳化硅MOSFET还具有出色的开关性能。这样可以简化电力电子系统的热设计。

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: ¥112.5819 493库存量 1,000预期 2027/7/9	制造商零件编号 SCT027H65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	493库存量 1,000预期 2027/7/9	剪切带 ¥112.5819 ¥64.0258 ¥63.8563 卷轴 ¥60.3872	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: ¥93.3832 457库存量	制造商零件编号 SCT040W65G3-4 Mouser 零件编号 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	457库存量	¥93.3832 ¥51.0308 ¥46.7368	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥109.8473 429库存量	制造商零件编号 SCT040W65G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	429库存量	¥109.8473 ¥81.8007 ¥68.2407 ¥60.794 ¥56.7486	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: ¥83.1341 1,404库存量	制造商零件编号 SCT055TO65G3 Mouser 零件编号 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	1,404库存量	剪切带 ¥83.1341 ¥56.7486 ¥46.8159 ¥41.6857 ¥39.0415 卷轴 ¥39.0415	最低： 1 倍数： 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: ¥108.8529 558库存量 1,000预期 2027/7/2	制造商零件编号 SCT040H65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	558库存量 1,000预期 2027/7/2	剪切带 ¥108.8529 ¥81.1453 ¥67.574 ¥60.2177 卷轴 ¥56.3305 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: ¥136.1537 6库存量 1,000预期 2027/4/23	制造商零件编号 SCT018H65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	6库存量 1,000预期 2027/4/23	剪切带 ¥136.1537 ¥81.6425 卷轴 ¥76.2637 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: ¥92.8069 8库存量 1,800预期 2027/4/23	制造商零件编号 SCT040TO65G3 Mouser 零件编号 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	8库存量 1,800预期 2027/4/23	剪切带 ¥92.8069 ¥65.5965 ¥54.5903 ¥48.7143 ¥45.4938 卷轴 ¥45.4938	最低： 1 倍数： 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥154.5162 600预期 2027/7/30	制造商零件编号 SCT018W65G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT018W65G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package	数据表	600预期 2027/7/30	¥154.5162 ¥117.7008 ¥98.1066 ¥81.6425	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	77 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥97.1122 600预期 2027/6/4	制造商零件编号 SCT055W65G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT055W65G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	600预期 2027/6/4	¥97.1122 ¥70.2295 ¥58.5679 ¥52.1947	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	32 nC	- 55 C	+ 200 C	210 W	Enhancement	AEC-Q100
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3-7 STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT018H65G3-7 Mouser 零件编号 511-SCT018H65G3-7 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package 了解更多关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 10 V, 22 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement

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