Infineon Technologies CY15B004Q 4Kbit串行 (SPI) 汽车用F-RAM
Cypress Semiconductor CY15B004Q 4Kbit串行 (SPI) 汽车用F-RAM是采用先进的铁电工艺的非易失性存储器。铁电随机存取存储器或者说F-RAM是非易失性存储器，可执行类似于RAM的读写操作。CY15B004Q的可靠数据保留期为121年，并可以消除串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器会出现的复杂性高、开销大和系统级可靠性不足问题。
特性
- 4Kbit铁电随机存取存储器 (F-RAM)，逻辑组织方式为512x8
- 高耐久性：10万亿 (1013) 次读/写
- 121年的数据保留期（参见数据保留和耐久性表）
- NoDelay™写入
- 先进的高可靠性铁电工艺
- 非常快速的串行外设接口 (SPI)
- 高达16MHz频率
- 针对串行闪存和EEPROM的直接硬件替换
- 支持SPI模式0 (0, 0) 和模式3 (1, 1)
- 复杂的写入保护方案
- 使用写保护 (WP) 引脚进行硬件保护
- 使用写禁用指令进行软件保护
- 用于1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
- 低功耗
- 工作电流：200μA (1MHz)
- 待机电流：6μA（典型值，+85°C）
- 低压运行：VDD = 3.0V至3.6V
- 汽车温度范围 (E)：–40°C至+125°C
- 8引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装
- 符合AEC Q100 1级标准
- 符合有害物质限制 (RoHS) 指令
框图
发布日期: 2018-09-12
| 更新日期: 2022-08-10