Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N沟道增强模式MOSFET设计用于最大限度地降低RDS(ON)，并保持出色的开关性能。该MOSFET具有高转换效率和100%无钳位电感开关 (UIS) 生产测试，确保可靠而稳健的终端应用。DMTH15H017LPSWQ MOSFET具有快速开关速度和低输入电容。该MOSFET无铅，符合RoHS指令，符合生产件批准程序 (PPAP) 规定。典型应用包括同步整流、电源开关和 D类音频放大器。
特性
- 额定温度为175°C：
- 非常适合用于高环境温度环境
- 高转换效率
- 符合AEC-Q101标准
- 支持PPAP
- 低RDS(ON)：
- 将导通损耗降至最低
- 100%无钳位电感开关 (UIS) 生产测试：
- 确保更可靠、更稳健的终端应用
- <1.1mm封装配置文件：
- 非常适合用于薄型应用
- 低输入电容
- 开关速度快
- 无铅涂层
- 符合RoHS指令
- 不含卤素和锑
规范
- 漏极-源极电压：150VDSS
- 栅极-源极电压：±20VGSS
- 脉冲漏极电流：200A
- 50A最大连续体二极管正向电流
- 工作温度范围：-55°C至175°C
- 封装：
- PowerDI5060-8
- UL可燃性分类等级：94V-0
- 重量：
- 0.097克
应用
- 同步整流
- 电源转换装置
- D类音频放大器
外形尺寸
发布日期: 2022-12-27
| 更新日期: 2023-01-18