Diodes Incorporated AP2297x单通道负载开关

Diodes Incorporated AP2297x单通道负载开关采用超紧凑型X1-WLB1909-8封装，提供受控导通和有源输出放电路径。Diodes Inc. AP2297x包含一个N沟道MOSFET，可在0.65V至3.6V输入电压范围内工作，开关电流高达4A。集成式电荷泵可对NMOS开关施加偏置，以实现最小的开关导通电阻（R_ON）。该开关由一个能够直接连接低压控制信号的开/关输入 (ON) 控制。

AP2297x在结温高于阈值时具有热关断功能，可关闭开关。当结温稳定在安全范围时，开关会再次接通。AP2297x设有150Ω片上电阻器，当开关被禁用时，可实现快速输出放电，以避免因电源浮动而导致下游负载的未知状态。

特性

集成单通道负载开关
输入电压范围：0.65 V至3.6 V
超低R_ON
- V_IN =1.8V时典型值为4.7mΩ
- V_IN =1.05V时典型值为5.1mΩ
- V_IN =0.65V时典型值为6.4mΩ
持续电流最大值为3A (AP22971) 或4A (AP22970)
低静态电流：30µA（典型值）
低关断电流：1µA（典型值）
转换速度受控，以减少浪涌电流（AP22970）
- 导通时间（tON）：1530µs（V_IN =3.6V时）
- 导通时间（tON）：815μs（V_IN =0.65V时）
通过CT引脚（AP22971）可调节转换速度，在V_IN =1V时，快速导通时间（tON）≤65µs

电源良好 (PG) 指示灯 (AP22971)
快速输出放电（QOD）
低电压逻辑使能，V_IH 为0.71V
高电平有效运行
热关断（TSD）
ESD 保护
- 2 kV人体模型 (HBM)
- 1 kV充电器件模型 (CDM)
小尺寸X1-WLB1909-8封装
完全无铅，完全符合RoHS指令
无卤、无锑的绿色器件

应用

笔记本电脑和平板电脑
智能手机

电信
存储器

规范

最大负载电流为3A或4A
4A或6A最大脉冲开关电流、<>
0.65 V 到 3.6 V 的工作输入电压范围
在输入逻辑下工作
- 高电压范围：0.71V至3.6V
- 低电压范围：0V至0.46V
最大静态电流范围：55µA至75µA
最大关断电流范围：5µA至18µA
输入漏电流：0.1µA（最大值）
典型输出放电电阻范围：150Ω至710Ω
典型热关断
- 阈值：170°C
- 30°C迟滞

电源开关导通电阻范围：8.5mΩ至19mΩ
环境工作温度范围：-40 °C至+105 °C
热阻
- 结点至环境：53.71°C/W
- 结点至壳顶：1.12°C/W
- 结点至壳底：8.26°C/W
- 结点至板：12.17°C/W
- 结点到顶部表征参数：0.38°C/W
- 结点至板特性参数：12.14°C/W