Diodes Incorporated API21552Q隔离式双通道栅极驱动器

Diodes Inc. API21552Q双通道 栅极驱动器符合AEC-Q100标准,专为要求严苛的汽车和工业电源应用而设计。这些器件具有高达4A的峰值源电流和6A的峰值灌电流驱动能力,能够可靠驱动GaN、MOSFET、SiC和IGBT功率开关,同时支持高达30V的输出电压。API21552Q驱动器具备高速开关性能,典型传播延迟为40ns,同时具有低脉宽失真和出色的通道间匹配特性,有助于优化高频功率转换系统的效率。

API21552Q专为在电磁噪声环境中稳定运行而设计,具备超过150V/ns的共模瞬态抑制能力 (CMTI),并集成了5ns去毛刺滤波器,以提高噪声抑制能力。该器件提供5700VRMS的加强绝缘,并通过多项关键安全标准认证,非常适合用于HEV和EV的车载充电器、牵引逆变器控制、电机驱动和隔离式DC-DC转换器。其他功能包括主动下拉、外部禁用控制、多种UVLO选项(5V、8V和12V),并支持-40°C至+125°C的宽温度工作范围,可进一步提升下一代汽车电源电子系统的可靠性和设计灵活性。

特性

  • 隔离式双通道栅极驱动器
  • 输入侧电源电压:3V至5.5V
  • 最大4A峰值拉电流和6A峰值灌电流输出
  • 共模瞬态免疫能力 (CMTI) 大于150V/ns
  • 高达30V VDD的输出驱动电源
  • 提供5V、8V和12V VDD的UVLO选项
  • 开关参数
    • 40 ns典型传播延迟
    • 8 ns最大延迟匹配
    • 7 ns最大脉宽失真
    • VDD上电延迟最大值:10μs
  • 隔离栅寿命>40年
  • 5ns集成去毛刺过滤器
  • 主动下拉功能
  • 采用SO-16W(CJ型)封装
  • 工作温度范围:-40°C至+125°C
  • 安全相关认证
    • SO-16W(CJ型):符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准,峰值隔离电压达8000VPK
    • SO-16W(CJ型):符合UL 1577标准,可承受5700VRMS的隔离电压,持续1分钟
    • 通过GB4943.1 CQC认证
  • 下列性能符合AEC-Q100标准:
    • 器件温度1级
    • 4kV器件HBM ESD
    • 1.5kV器件CDM ESD
  • 完全无铅,符合RoHS标准
  • 无卤素/无锑,绿色设备
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用;通过AEC-Q100认证,支持PPAP,并由通过 IATF 16949 认证的工厂生产

应用

  • 混动汽车和电动汽车车载充电器
  • 汽车电机驱动器
  • 混动汽车和电动汽车逆变器控制
  • 汽车隔离式DC-DC转换器

规范

  • 最大功率额定值
    • 功率耗散:950mW(两侧)
    • 发射端功率耗散:50mW
    • 每个驱动侧的功率耗散:450mW
  • 电源电流
    • VCC静态电流最大值为2.5mA,典型值为1.5mA
    • VDDA/VDDB静态电流最大值为3.7mA,典型值为1.4mA
    • 最大VCC工作电流最大值为4.6mA,典型值为2.7mA
    • VDDA和VDDB工作电流最大值为5mA,典型值为3mA
  • 的可调节输出
    • 上拉电阻最大值为10Ω,典型值为4Ω
    • 下拉电阻最大值为1.1Ω,典型值为0.55Ω
    • OUTX上的输出主动下拉电压最大值为2V,典型值为1.6V
  • 交换
    • 输出上升时间最大值为16ns,典型值为5ns
    • 输出下降时间最大值为12ns,典型值为6ns
    • 传播延迟最大值为60ns,典型值为40ns
    • DIS响应延迟最大值为70ns,典型值为45ns
    • 输入脉宽最大值为30ns,典型值为10ns
    • 传播延迟匹配范围为0ns至7ns
    • 脉宽失真范围为0ns至7ns
    • 共模瞬态抗扰度最小值为150V/ns
  • 安全限制值
    • 安全输出供电电流:61mA
    • 安全输出供电功率
      • 输入侧:50mW
      • 驱动器A/B侧:925mW
      • 总功率:1900mW
    • 安全温度:+150°C
  • 绝缘
    • 外部间隙/爬电距离:>8mm
    • 绝缘层厚度:26µm
    • 比较跟踪指数:>600V
    • IEC 60664-1标准材料组别I
  • 封装热性能信息
    • 结至环境热阻:65.8°C/W
    • 结至外壳热阻:28.1°C/W
    • 结至电路板热阻:23.2°C/W
    • 结至顶部热特性参数:7.35°C/W
    • 结至电路板热特性参数:22°C/W
    • 结至外壳(底部)热阻:31.3°C/W

典型应用电路

应用电路图 - Diodes Incorporated API21552Q隔离式双通道栅极驱动器

功能框图

框图 - Diodes Incorporated API21552Q隔离式双通道栅极驱动器
发布日期: 2026-09-03 | 更新日期: 2026-09-14