Diodes Incorporated DMN4800LSSQ N沟道增强模式MOSFET

Diodes Inc. DMN4800LSSQ N沟道增强模式MOSFET设计用于最大限度地降低导通电阻 (R_DS(ON))，并保持卓越的开关性能。这款  DMN4800LSSQ 器件非常适合用于高效率电源管理应用。典型应用包括背光照明、电源管理功能和直流-直流转换器。