Microchip Technology MSC025SMA330B4N N沟道mSiC™ MOSFET
Microchip Technology MSC025SMA330B4N N沟道mSiC™ MOSFET是MA系列中的一款3300V分立式碳化矽功率MOSFET。该器件采用TO-247-4 Notch封装，支持在要求严格的电力电子设计中进行高压开关操作。MSC025SMA330B4N旨在通过低导通电阻和可靠的开关性能来减少传导损耗并提高系统效率。Microchip Technology MSC025SMA330B4N N沟道mSiC MOSFET还具有低电容、低栅极电荷、快速切换速度和在高接合点温度下稳定运行等特性。
Microchip MSC025SMA330B4N N沟道mSiC MOSFET非常适合需要高效、紧凑、坚固的SiC功率开关的高压应用。MOSFET支持航空航天、电动汽车、工业和可再生能量应用中的中高压系统。
特性
- Microchip MA系列中的N沟道分立式mSiC™ MOSFET
- 低导通电阻有助于减少传导损耗，并提高热性能
- 与IGBT和传统硅MOSFET相比，高频运行可降低开关损耗
- 低电容和栅极电荷用于高效高速开关
- 低内部栅极电阻支持快速切换速度
- 快速、低恢复体二极管，实现可靠的硬关断操作
- 出色的雪崩耐受性和短路承受时间，提高系统可靠性
- 符合RoHS标准
应用
- 高压电力系统
- 航空航天电源设计
- 电动移动系统
- 工业电源系统
- 可再生能源
规范
- 漏极-源极电压为3300V
- 栅极驱动电压范围为18V至20V
- VGS为20V时的导通电阻为25mΩ
- 最大漏极连续电流为106A
- 输出电容为186pF
- 结温范围为-55°C至+150°C
- TO-247-4缺口封装
封装样式
发布日期: 2026-07-14
| 更新日期: 2026-07-16