Microchip Technology MSCSM120x MOSFET电源模块
Microchip Technology MSCSM 120 x MOSFET电源模块是高效转换器，采用厚铜Si3N4 基板，可提高散热性能。这些模块采用薄型设计，可直接安装到散热片（隔离式封装）、内部热敏电阻（用于温度监控）以及扩展温度范围。MSCSM120x模块的反向工作电压 (VR) 为1.2kV，栅极-源极电压范围 (VGS) 为-10V至25V，功率耗散 (Pd) 为310W/560W，连续漏极电流 (Id) 为 79A/150A。该系列模块适用于高可靠性 电源系统、高效交流/直流和直流/交流转换器、电机控制以及交流开关等应用。
特性
- SiC电源MOSFET：
- 低RDS（导通）
- 高速开关
- 碳化硅肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 与温度无关的开关行为
- VF上的正温度系数
- 超低重量和超薄尺寸
- 开尔文源极，便于驱动
- 厚铜Si3N4基板，可提高散热性能
- 内部热敏电阻器，用于温度监控
- 扩展温度范围
- 高效率转换器
- 在高频工作时具有出色的性能
- 直接安装到散热器（隔离式封装）
- 符合RoHS指令
- 可焊接端子，用于电源和信号，便于PCB安装
- 高度集成的电源转换系统
规范
- 反向电压 (VR)：1.2kV
- 栅极-源极电压范围 (VGS) ： - 10V至25V
- 功率耗散 (PD) ：310W/560W
- 连续漏极电流 (ID) ：79A/150A
- 上升时间：30ns
- 下降时间：25ns
- 漏极 - 源极电阻：16mΩ/31mΩRDS(ON)
- 工作温度范围：-55°C至175°C
应用
- 高可靠性电源系统
- 高效交流/直流和直流/交流转换器
- 电机控制
- 交流开关
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| 物料编号 | 数据表 | Vf - 正向电压 | 配置 | Vgs - 栅极-源极电压 | Rds On-漏源导通电阻 | Vr - 反向电压 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MSCSM120DDUM16CTBL3NG |  |
1.5 V | Double Dual Common Source | - 10 V, + 25 V | 16 mOhms | 1.2 kV |
| MSCSM120DAM31CTBL1NG | |
1.5 V | Boost Chopper | - 10 V, + 25 V | 31 mOhms | 1.2 kV |
| MSCSM120AM31CTBL1NG | |
1.5 V | Phase Leg | - 10 V, + 25 V | 31 mOhms | 1.2 kV |
| MSCSM120HM16CTBL3NG | |
1.5 V | Full Bridge | - 10 V, + 25 V | 16 mOhms | 1.2 kV |
| MSCSM120DDUM31CTBL2NG | |
1.5 V | Double Dual Common Source | - 10 V, + 25 V | 31 mOhms | 1.2 kV |
| MSCSM120DHM31CTBL2NG | |
1.5 V | Asymmetrical Bridge | - 10 V, + 25 V | 31 mOhms | 1.2 kV |
| MSCSM120DUM31CTBL1NG | |
1.5 V | Dual Common Source | - 10 V, + 25 V | 31 mOhms | 1.2 kV |
| MSCSM120SKM31CTBL1NG | |
1.5 V | Buck Chopper | - 10 V, + 25 V | 31 mOhms | 1.2 kV |
| MSCSM120HM31CTBL2NG | |
1.5 V | Full Bridge | - 10 V, + 25 V | 31 mOhms | 1.2 kV |
发布日期: 2021-10-05
| 更新日期: 2022-03-11