Micron NOR闪存

Micron NOR闪存具有高达2Gb的密度，非常适合用于可靠的代码存储（嵌入式系统中的启动、应用程序、操作系统以及片内执行 [XIP] 代码）。这些器件还可用于频繁更改的小数据存储。NOR闪存是易于实施的快速可启动存储器解决方案，得益于底层单元结构，仅需极少量的持续管理。由于采用底层单元结构，因此该款NOR闪存具有比其他解决方案更高的固有可靠性。

特性

密度： 行业标准128Mb–2Gb
安全性： 重放受保护的单调计数器 (RPMC)、块/扇区锁定、OTP保护寄存器、硬件/软件保护、可修改的安全设备状态、上电后保护、写保护
电压： 低电压 (1.7V – 2.0V) 解决方案和全电压 (2.7V - 3.6V) 支持
软件： RTOS、Red Hat® Enterprise Linux®、Microsoft Windows® CE驱动程序
性能： 工作频率高达200MHz的DDR，读取吞吐量为400MB/s，程序吞吐量为2MB/s；在全电压和扩展温度范围内具有同类最佳频率

接口： 单路SPI、双路I/O、四路I/O、双四路I/O、八路I/O和标准并行接口以及双传输数据 (DTR) 模式，可实现较高的灵活性、性能和向后兼容性
封装选项： 行业标准、无铅和无HF封装选项，如TSOP、LBGA、SOIC、TBGA和DFN，以及超小型晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) 和已知良好的裸片 (KGD) 选项
温度范围： 支持全工业（-40˚C至85˚C）、汽车AEC-Q100 2级（-40°C至105°C）和3级（-40°C至85°C）温度，可满足各种应用需求