特性
- 平衡传播延迟
- 所有输入端均具有施密特触发器动作
- 输入接受高于VCC的电压
- 输入电平:
- 对于74AHC245:CMOS电平
- 对于74AHCT245:TTL电平
- ESD保护:
- HBM EIA/JESD22-A114E超过2000V
- MM EIA/JESD22-A115-A超过200V
- CDM EIA/JESD22-C101C超过1000V
- 多种封装选择
- 指定温度范围:-40°C至85°C及-40°C至125°C
功能图
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| 物料编号 | 数据表 | 输入电平 | 输出类型 | 高电平输出电流 | 低电平输出电流 | 传播延迟时间 | 电源电压-最小 | 电源电压-最大 | 电路数量 | 通道数量 | 电源电流—最大值 | Pd-功率耗散 | 封装 / 箱体 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 74AHC245D,118 | ![]() |
CMOS | 3-State | - 8 mA | 8 mA | 11.9 ns | 2 V | 5.5 V | 1 Circuit | 8 Channel | 4 uA | SOIC-20 | |
| 74AHC245PW,118 | ![]() |
CMOS | 3-State | - 8 mA | 8 mA | 11.9 ns | 2 V | 5.5 V | 1 Circuit | 8 Channel | 4 uA | TSSOP-20 | |
| 74AHCT245APWJ | ![]() |
TTL | 3-State | - 8 mA | 8 mA | 3 ns | 4.5 V | 5.5 V | 1 Circuit | 8 Channel | 20 uA | 500 mW | TSSOP-20 |
| 74AHCT245PW,118 | ![]() |
CMOS | 3-State | - 8 mA | 8 mA | 10 ns | 4.5 V | 5.5 V | 8 Circuit | 8 Channel | 4 uA | 500 mW (1/2 W) | TSSOP-20 |
| 74AHCT245BQ,115 | ![]() |
DHVQFN-20 | |||||||||||
| 74AHCT245D,118 | ![]() |
TTL | 3-State | - 8 mA | 8 mA | 8.7 ns | 4.5 V | 5.5 V | 8 Circuit | 8 Channel | 4 uA | 500 mW (1/2 W) | SOIC-20 |
| 74AHC245BQ,115 | ![]() |
7.1 ns, 10.6 ns, 15.6 ns, 10.8 ns | 2 V | 5.5 V | 1 Channel | 500 mW (1/2 W) | DHVQFN-20 |
发布日期: 2019-05-28
| 更新日期: 2023-04-27


