Nexperia PMN50EPE 30 V P 沟道沟槽式 MOSFET
Nexperia PMN50EPE 30V P沟道沟槽MOSFET在小型SOT457 (SC-74) SMD塑料封装中采用沟槽MOSFET技术。PMN50EPE增强模式场效应晶体管 (FET) 与逻辑电平兼容，开关速度非常快，具有2kV HBM静电放电 (ESD) 保护功能。
Nexperia PMN50EPE MOSFET非常适合继电器驱动器、高速线路驱动器、高侧负载开关和开关电路应用。
特性
- 沟槽式 MOSFET 技术
- 兼容逻辑电平
- 非常快的开关速度
- 静电放电(ESD)保护>2 kV HBM
应用
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高侧负载开关
- 开关电路
引脚图
发布日期: 2025-06-25
| 更新日期: 2026-04-17