特性
- SiC MOSFET技术
- 1800V至3300V负载电压
- 低导通电阻
- 环境工作温度范围:-40 °C至105 °C
- 50mA输入正向电流
- 紧凑型6引脚DIP封装
- 1a (SPST-NO) 触点形式
应用
- 半导体测试设备
- 电池管理系统 (BMS)
视频
绝对最大额定值 (Ta = 25°C)
电气特性 (Ta = 25°C)
封装尺寸
发布日期: 2026-06-10
| 更新日期: 2026-08-20

