onsemi AFGHL40T65SQ和AFGHL50T65SQ IGBT
安森美半导体AFGHL40T65SQ和AFGHL50T65SQ IGBT是第四代高速场终止型IGBT，非常适合用于汽车应用。AFGHL40T65SQ和AFGHL50T65SQ IGBT为硬开关和软开关提供更高可靠性和最佳性能。安森美半导体AFGHL40T65SQ和AFGHL50T65SQ IGBT符合AEC Q101标准，具有非常低的开关和导通损耗。
特性
- 符合 AEC-Q101
- 最高结温：+175 °C
- 具有正温度系数，便于并联工作
- 大电流承受能力
- 低饱和电压VCE (Sat) ：1.6V（IC = 50A的时典型值）
- 零件100%经过ILM 测试
- 快速开关
- 参数分布紧密
- 符合RoHS指令
应用
- 汽车
- 混合动力 (HEV)/电动汽车(EV) 车载充电器
- HEV-EV直流－直流转换器
- 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC)
- 正温度系数 (PTC)
规范
- AFGHL40T65SQ
- 集电极到发射极电压：650V
- 栅极到发射极电压：±20V
- 瞬态栅极到发射极电压：±30V
- 集电极电流：40A（TC = +100°C时）
- 集电极电流：80A（TC = +25°C时）
- 脉冲集电极电流：160A
- 最大功耗：239W（TC = +25°C时）
- 最大功耗：119W（TC = +100°C时）
- 工作结/储存温度范围：-55°C至+175°C
- 焊接目的最高引线温度：300°C（距离外壳1/8英寸，持续5秒）
- AFGHL50T65SQ
- 集电极到发射极电压：650V
- 栅极-发射极电压：±20 V
- 瞬态栅极到发射极电压：±30V
- 集电极电流：50A（TC = 100°C时）
- 集电极电流：80A（TC = 25°C时）
- 脉冲集电极电流：200A
- 最大功耗：268W（TC = 25°C时）
- 最大功耗：134W（TC = 100°C时）
- 工作结温/储存温度范围：-55°C至+175°C
- 焊接目的最高引线温度：300°C（距离外壳1/8英寸，持续5秒）
数据手册
发布日期: 2020-06-16
| 更新日期: 2024-06-05