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FGB40T65SP_F085 650V 40A沟槽场终止型IGBT - onsemi
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onsemi FGB40T65SP_F085 650V 40A沟槽场终止型IGBT
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Fairchild FGB40T65SP_F085 650V 40A沟槽场终止型IGBT采用新型场终止型第3代IGBT技术,提供具有低导通损耗和开关损耗的最佳性能。IGBT可用于各种应用中的高效操作,同时提供高出50V的阻断电压和强大的大电流开关可靠性。FGB40T65SP_F085在并联运行中也具有出色性能。
特性
符合AEC-Q101标准
低饱和电压: V
CE(sat)
= 2.0V(典型值) (L
C
= 40A)
100%的零件都经过动态测试
短路耐受性 > 5μs (25°C)
最高结温:Tj = 175°C
快速转换
参数分布紧密
正温度系数易于并联工作
装有柔性快速恢复二极管
符合RoHS指令
应用
车载充电器
空调压缩机
PTC加热器
电机驱动器
其他汽车动力传动系统和辅助应用
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发布日期: 2017-04-20 | 更新日期: 2022-03-11