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4N35光耦合器 - onsemi
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onsemi 4N35光耦合器
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安森美4N35光耦合器是通用型光耦合器,由驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管组成。这些光耦合器采用6引脚双列直插式封装 (DIP)。4N35光耦合器在I
F
= 10mA、V
CE
= 10V时的电流传输比极小。这些器件的工作温度范围为-55°C至+110°C。4N35光耦合器非常适合用于电源稳压器、数字逻辑输入、微处理器输入和电源监控器。
特性
在I
F
= 10mA、V
CE
= 10V时的电流传输比极小
工作温度范围:-55 °C至110 °C
反向输入电压 (V
r
):6V
安全和法规批准:
UL1577,5000VAC
rms
持续1分钟
DIN-EN/IEC60747-5-5,850V峰值工作绝缘电压(申请中)
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微控制器输入
电源监控器
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发布日期: 2024-09-19 | 更新日期: 2024-10-28