onsemi EMD4DXV6数字晶体管(BRT)

安森美 (onsemi) EMD4DXV6 数字晶体管 (BRT) 旨在替代单个设备 及其外部电阻器偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)将单个晶体管与由两个电阻器组成的单片式偏置网络集成在一起,其中两个电阻分别为串联基极电阻和基极-发射极电阻。这些BRT将独立元件集成至单个器件中,从而省去了这些元件。EMD4DXV6晶体管具有50VDC 集电极-基极电压、50VDC集电极-发射极电压和100mADC集电极电流。该系列晶体管支持-55°C至+150°C的结温和存放温度范围。

特性

  • 简化电路设计
  • 减小电路板空间
  • 减少元件数量
  • 无铅器件
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能

规范

  • 50VDC集电极-基极电压
  • 50VDC集电极-发射极电压
  • 集电极电流:100mADC
  • 结温和储存温度范围:-55 °C至+150 °C

降额曲线

性能图表 - onsemi EMD4DXV6数字晶体管(BRT)

尺寸图

机械图纸 - onsemi EMD4DXV6数字晶体管(BRT)
发布日期: 2026-07-27 | 更新日期: 2026-08-06