onsemi EMD4DXV6数字晶体管(BRT)
安森美 (onsemi) EMD4DXV6 数字晶体管 (BRT) 旨在替代单个设备 及其外部电阻器偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)将单个晶体管与由两个电阻器组成的单片式偏置网络集成在一起,其中两个电阻分别为串联基极电阻和基极-发射极电阻。这些BRT将独立元件集成至单个器件中,从而省去了这些元件。EMD4DXV6晶体管具有50VDC
集电极-
基极电压、50VDC集电极-发射极电压和100mADC
集电极电流。该系列晶体管支持-55°C至+150°C的结温和存放温度范围。
特性
- 无铅器件
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
规范
- 50VDC集电极-基极电压
- 50VDC集电极-发射极电压
- 集电极电流:100mADC
- 结温和储存温度范围:-55 °C至+150 °C
发布日期: 2026-07-27
| 更新日期: 2026-08-06