onsemi ESDM1021 ESD保护二极管
安森美 (onsemi) ESDM1021 ESD保护二极管可保护电压敏感元件免受静电放电和瞬态电压事件的影响。ESDM1021采用紧凑型01005封装（尺寸为0.445mm x 0.24mm x 0.18mm），具有低钳位电压、低泄漏、快速响应和低电容器特性。该双向器件专为PCB空间有限的电路设计。
安森美 (onsemi) ESDM1021 ESD保护二极管符合IEC 61000-4-2的4级防护要求，可承受高达±30kV的接触和空气放电。该器件的工作峰值反向电压为2V，支持1.8V电源线和GPIO保护。无铅、无卤素、无溴化阻燃剂且符合RoHS标准的结构设计，支持环保型电子设计。
特性
- 低钳位电压，可保护对电压敏感的元件
- 低电容器，可保护信号和电源线
- 双向配置，可应对正向和负向瞬态事件
- 低漏电流和快速响应时间
- IEC 61000-4-2 4级ESD保护
- 紧凑型01005封装，适用于空间受限的PCB设计
- 无铅、无卤素、无溴化阻燃剂，符合RoHS标准的结构
应用
- 1.8V电源线保护
- GPIO保护
- 低电压电源线保护
- 电压敏感元件保护
规范
- 一条双向保护线
- 工作峰值反向电压：2.0V
- 在1mA电流下的击穿电压范围为3.7V至5.7V
- 在1mA电流下的典型击穿电压为4.5V
- 在2.0V电压下的最大反向漏电流为100nA
- 在2.0V电压下的典型反向漏电流为1.0nA
- 接触放电和空气放电的ESD防护能力均为±30kV。
- 典型TLP钳位电压
- 8A时为4.9V
- 16A时为5.4V
- 在8/20µs波形条件下，反向峰值脉冲电流为10A。
- 25°C时的最大功率耗散：313mW
- 在8/20µs波形条件下的钳位电压
- 10A时的典型值为5.3V
- 10A时的最大值为6.5V
- 在100ns TLP脉冲条件下，动态电阻为0.074Ω。
- 结电容
- 在0V和1MHz条件下的典型值为18pF
- 在0V和1MHz条件下的最大值为23pF
- 结至环境温度热阻：400°C/W
- 结温和存放温度范围：-55°C至+150°C
- X4DFN-2 01005封装
- 封装尺寸为0.445mm x 0.24mm x 0.18mm
典型特性
ESD测试装置
发布日期: 2026-09-03
| 更新日期: 2026-09-14