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FGH4L50T65SQD 650V 50A高速IGBT - onsemi
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onsemi FGH4L50T65SQD 650V 50A高速IGBT
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安森美FGH4L50T65SQD 650V 50A高速IGBT在该系列第四代IGBT中采用创新的场终止型IGBT技术。这些器件为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用提供最佳性能。安森美FGH4L50T65SQD非常适合用于需要低导通和低开关损耗的应用。
特性
最高结温 (T
J
) 为175°C
具有正温度系数,便于并联工作
大电流能力
低饱和电压 (V
CE(Sat)
):1.6V(典型值)(I
C
=50A)
零件100%经过I
LM
测试
高输入阻抗
快速开关
参数分布紧密
该器件无铅,符合RoHS指令
应用
太阳能逆变器
UPS
焊接设备
电信
ESS
功率因数校正
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发布日期: 2023-10-05 | 更新日期: 2023-10-13