onsemi MC74VHCT125A缓冲器

安森美 (onsemi) MC74VHCT125A缓冲器是一款高速CMOS四路总线缓冲器,采用硅栅极CMOS技术制造。这些器件的高速运行与双极型肖特基TTL类似,在VCC = 5V时,典型传播延迟(tPD)为3.8ns。MC74VHCT125A缓冲器具有三态控制输入 (OE),当OE为高电平时,输出进入高阻态,这在总线应用中非常实用。这些缓冲器具有良好的抗噪性能,工作电压范围为2V至5.5V。MC74VHCT125A缓冲器无铅并且符合RoHS标准。这些设备适用于通用逻辑、电平缓冲、信号调理、掉电保护、汽车,以及工业应用。

特性

  • 高速性能:tPD = 3.8ns(典型值,VCC = 5V时)
  • 低功耗:ICC = 4A(最大值,TA = 25°C时)
  • 高抗噪:VNIH = VNIL = 28% VCC
  • 输入端提供掉电保护
  • 平衡传播延迟
  • 设计工作范围:2V至5.5V
  • 低噪声:VOLP = 0.8V(最大)
  • 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容
  • 锁存性能超过100mA
  • 人体放电模型ESD防护能力 >2000V
  • 72个FET或18个等效栅极的芯片复杂度
  • 带Q后缀的用于汽车和其他要进行现场和控制变更的应用
  • 符合AEC-Q100标准并具有PPAP功能
  • 无铅,符合RoHS标准

应用

  • 通用逻辑
  • 缓冲
  • 信号调理
  • 掉电保护
  • 汽车
  • 工业

带功能表的逻辑图

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物料编号 数据表 逻辑系列 输出类型 传播延迟时间 静态电流 电源电压-最小 Pd-功率耗散
MC74VHCT125ADTR2G-Q MC74VHCT125ADTR2G-Q 数据表 74VHC CMOS 3.8 ns 40 uA 2 V 833 mW
MC74VHCT125ADTR2G MC74VHCT125ADTR2G 数据表 VHCT 3-State 11.5 ns 2 uA 2 V 833 mW
MC74VHCT125ADR2G MC74VHCT125ADR2G 数据表 VHCT 3-State 11.5 ns 2 uA 4.5 V 500 mW (1/2 W)
发布日期: 2025-06-25 | 更新日期: 2025-07-15