返回onsemi

onsemi NTHL012N065M3S碳化硅（SiC）MOSFET

安森美 (onsemi) NTHL012N065M3S碳化硅（SiC）MOSFET是一款EliteSiC® 650V M3S平面型MOSFET，专为快速开关功率应用而优化。该器件具有低导通电阻和低开关损耗，可在紧凑型、高性能设计中实现高效功率转换。NTHL012N065M3S采用平面型SiC技术，设计用于在负栅极电压驱动和栅极关断尖峰电压下可靠工作。该SiC MOSFET可在18V栅极驱动电压下提供最佳性能，同时也支持15V栅极驱动电压，以实现设计灵活性。

安森美 (onsemi) NTHL012N065M3S SiC MOSFET非常适合开关电源、太阳能逆变器、不间断电源、储能系统和EV充电基础设施。NTHL012N065M3S采用TO-247-3L封装，支持高结温工作，适用于要求严苛的电力电子应用。

特性

  • EliteSiC 650V M3S平面型SiC MOSFET技术，适用于快速开关应用
  • 采用平面型技术，可在负栅极电压驱动和栅极关断尖峰电压下可靠工作
  • 可在18V栅极驱动电压下实现优化性能，15V栅极驱动电压下亦具备强劲性能
  • 采用全新M3S技术，实现低EON和EOFF开关损耗
  • 低输出电容，适用于高速开关应用
  • 超低总栅极电荷，实现高效开关工作
  • 器件经100%雪崩测试
  • 无卤、符合RoHS标准（豁免条款7a）
  • 二级互连无铅2LI

应用

  • 开关电源
  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源
  • 储能系统
  • EV充电基础设施

规范

  • 漏源电压：650V
  • 典型RDS(ON)：12.2mΩ（VGS = 18V时）
  • 最大漏极电流：123A（TC = 25°C时）
  • 漏极连续电流：87A（TC = 100°C时）
  • 典型总栅极电荷：135nC
  • 典型输出电容：281pF
  • 动态栅源电压范围：-10V至+22.6V
  • 推荐工作栅源电压范围：-3V至+18V
  • 单脉冲雪崩能量：259mJ
  • 结至壳热阻：0.35°C/W
  • 工作结温与存放温度范围：-55°C至+175°C
  • TO-247-3L封装

封装形式

应用电路图 - onsemi NTHL012N065M3S碳化硅（SiC）MOSFET

热响应特性

性能图表 - onsemi NTHL012N065M3S碳化硅（SiC）MOSFET
发布日期: 2026-07-09 | 更新日期: 2026-07-14