onsemi NTHL016N065M3S碳化硅（SiC）MOSFET
安森美 (onsemi) NTHL016N065M3S碳化硅（SiC）MOSFET是一款EliteSiC® 650V M3S平面型MOSFET，专为快速开关功率应用而优化。该器件集低导通电阻、低电容和低开关损耗于一体，可在紧凑型高性能系统中实现高效功率转换。NTHL016N065M3S采用平面型SiC技术，设计用于在负栅极电压驱动和关断栅极尖峰电压条件下可靠工作。该SiC MOSFET可在18V栅极驱动电压下实现最佳性能，在15V栅极驱动电压下亦运行良好，从而提高设计灵活性。
安森美 (onsemi) NTHL016N065M3S碳化硅（SiC）MOSFET非常适合开关电源、太阳能逆变器、不间断电源、储能系统及EV充电基础设施。NTHL016N065M3S采用TO-247-3L封装，支持高温电力电子设计，工作结温高达+175°C。
特性
- EliteSiC 650V M3S平面型SiC MOSFET技术，适用于快速开关应用
- 采用平面型技术，可在负栅极电压驱动和栅极关断尖峰电压下可靠工作
- 可在18V栅极驱动电压下实现优化性能，15V栅极驱动电压下亦具备强劲性能
- 采用M3S技术，可实现低EON和EOFF开关损耗
- 低输出电容，适用于高速开关应用
- 超低总栅极电荷，实现高效开关工作
- 器件经100%雪崩测试
- 无卤、符合RoHS标准（豁免条款7a）
- 二级互连无铅2LI
应用
- 开关电源
- 太阳能逆变器
- 不间断电源
- 储能系统
- EV充电基础设施
规范
- 漏源电压：650V
- 典型RDS(ON)：16.8mΩ（VGS = 18V时）
- 最大漏极电流：94A（TC = 25°C时）
- 漏极连续电流：66A（TC = 100°C时）
- 典型总栅极电荷：100nC
- 典型输出电容：202pF
- 栅源电压范围：-10V至+22.6V
- 推荐工作栅源电压范围：-3V至+18V
- 单脉冲雪崩能量：180mJ
- 结至壳热阻：0.45°C/W
- 工作结温与存放温度范围：-55°C至+175°C
- TO-247-3L封装
封装形式
热响应特性
发布日期: 2026-07-09
| 更新日期: 2026-07-14