onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET

安森美NVMFWS0D45N04XM MOSFET是一款单N沟道STD栅极MOSFET,采用SO8FL封装。该器件具有40V漏极-源极电压、469A连续漏极电流,符合AECQ101标准。安森美 (onsemi) NVMFWS0D45N04XM MOSFET具有低电容和低RDS(on),可最大限度地降低驱动器和导通损耗。NVMFWS0D45N04XM采用5mmx6mm的小尺寸,非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流。

特性

  • 低RDS(on),可最大限度地降低导通损耗
  • 低电容,可最大限度地降低驱动器损耗
  • 占位面积小(5mmx6mm),设计紧凑
  • 符合AECQ101标准并具有PPAP功能
  • 无铅、无卤、无BFR,符合RoHS指令

应用

  • 电机驱动
  • 电池保护
  • 同步整流

规范

  • 40 V漏源电压
  • 连续漏极电流:469A
  • 漏极-源极导通电阻:0.45mΩ(VGS = 10V时)

封装类型

onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET

瞬态热响应

性能图表 - onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET
发布日期: 2025-04-03 | 更新日期: 2025-04-17