返回onsemi

onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET

安森美 (onsemi) NVMTS1D1N08X N沟道功率MOSFET可为汽车功率转换和电机控制应用提供大电流开关功能。这些MOSFET兼具低导通电阻、低栅极电荷及低电容特性，可最大限度地降低导通损耗和驱动损耗。低反向恢复电荷的本体二极管具有软恢复特性，可在要求严苛的电源系统中实现高效开关。

安森美 (onsemi) NVMTS1D1N08X MOSFET适用于AC-DC和DC-DC转换器的同步整流、隔离式DC-DC转换器中的初级侧开关、电机驱动和汽车48V系统。器件通过AEC-Q101认证，支持PPAP，并经过100%雪崩测试，支持汽车级可靠性。紧凑的PQFN88-3L封装可实现高功率密度和高效的散热性能。

特性

  • 低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗
  • 低栅极电荷和低电容，可最大限度降低驱动损耗
  • 具有低反向恢复电荷和软恢复的本体二极管
  • 经过100%雪崩测试的设计
  • AEC-Q101认证，并支持PPAP
  • 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令

应用

  • DC-DC转换器中的同步整流
  • AC-DC转换器中的同步整流
  • 电机驱动器
  • 隔离式DC-DC转换器中的初级侧开关
  • 汽车48V系统

规范

  • 漏极源极电压：80V
  • 在VGS = 10V和ID = 32A时，最大漏极源极导通电阻为1.0mΩ
  • 在TC = 25°C时，连续漏极电流为352A
  • 在TC = 100°C时，连续漏极电流为249A
  • 脉冲漏极电流为2059A
  • TC = 25 °C时，连续本体二极管电流为346A
  • 栅极源极电压：20V
  • 栅极阈值电压范围：2.4V至3.6V
  • TC = 25 °C时，最大功率耗散为250W
  • 单脉冲雪崩能量为500mJ
  • 总栅极电荷：121nC（典型值）
  • 输出电荷：178nC（典型值）
  • 反向恢复电荷：316nC（典型值）
  • 反向恢复时间：34ns（典型值）
  • 开关时间
    • 通电延迟时间：35ns（典型值）
    • 上升时间：24ns（典型值）
    • 关断延迟时间：65ns（典型值）
    • 下降时间：13ns（典型值）
  • 热阻
    • 结至外壳热阻：0.3°C/W（典型值），0.6°C/W（最大值）
    • 结至环境热阻：30°C/W（最大值）
  • 工作结温和存放温度范围：-55°C至+175°C
  • PQFN88-3L单冷却封装

封装类型

应用电路图 - onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET
发布日期: 2026-09-01 | 更新日期: 2026-09-17