onsemi NXH040P120MNF1 SiC模块
安森美 (onsemi) NXH040P120MNF1碳化硅模块在F1模块中包含一个40mΩ 1200V碳化硅MOSFET半桥和一个NTC热敏电阻。该模块的推荐栅极电压为18 V至20 V。NXH040P120MNF1在更高电压下具有改进的RDS(ON)，热阻低。
特性
- 推荐栅极电压：18V至20V
- 在更高电压下改进RDS(ON)
- 低热阻
- 效率更高或功率密度更高
- 可选择有TIM或无TIM
- 用于高可靠性热接口的灵活解决方案
应用
- 交流-直流转换
- 直流-交流转换
- 直流-直流转换
原理图
了解EliteSiC详情
发布日期: 2022-05-11
| 更新日期: 2024-06-18