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onsemi UF3N120007K4S 1200V JFET N沟道晶体管

安森美 (onsemi) UF3N120007K4S 1200V EliteSic JFET N沟道晶体管是一款1200V、7.1mΩ的高性能第三代常开型SiC JFET晶体管。该器件采用TO247-4封装，具有超低导通电阻（RDS(ON)），因此非常适合用于应对固态断路器和继电器应用的严苛热约束。安森美 (onsemi) UF3N120007K4SJFET采用坚固耐用的技术，能够满足电路保护应用中的高能量开关需求。

特性

  • 个位数导通电阻（RDS(ON)）
  • 最大工作温度：+175°C
  • 高脉冲电流能力
  • 器件具有出色的可靠性
  • 采用银烧结裸片贴装工艺，热阻极佳
  • 无铅、无卤，符合RoHS标准

应用

  • 固态/半导体断路器
  • 固态/半导体继电器
  • 电池断开装置
  • 浪涌保护
  • 浪涌电流控制
  • 感应加热

规范

  • 漏源电压（VDS）：1200V
  • 连续漏极电流（ID）：120A（TC <>
  • 脉冲漏极电流（IDM）：550A（TC <>
  • 功率耗散（PTOT）：789W（TC <>
  • 总栅极电荷（QG）：830nC（VDS = 800V、ID = 100A、VGS = -18V至0V时）
  • 漏源导通电阻（RDS(ON)）
    • 7.1mΩ（典型值，VGS = 2V、ID = 100A、TJ = +25°C时）
    • 8.6mΩ（典型值，VGS = 0V、ID = 100A、TJ = +25°C时）
    • 15.5mΩ（典型值，VGS = 2V、ID = 100A、TJ = +175°C时）
    • 17.8mΩ（典型值，VGS = 0V、ID = 100A、TJ = +175°C时）
  • 最高结温（TJ,max）：+175°C

资源

电路图

原理图 - onsemi UF3N120007K4S 1200V JFET N沟道晶体管

封装图

图表 - onsemi UF3N120007K4S 1200V JFET N沟道晶体管

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发布日期: 2025-07-30 | 更新日期: 2026-09-08