Renesas Electronics RL78/G1D蓝牙®低功耗MCU

Renesas Electronics RL78/G1D蓝牙^®低功耗MCU在4.3mA射频传输电流（0dBm输出）和3.5mA射频接收电流下具有低电流消耗。RL78/G1D内置电路元件，无需外部元件，降低成本，简化天线连接的电路设计。借助无线更新的软件堆栈，用户软件效率更高。

Renesas RL78/G1D BLE MCU包含RL78/G1D、用于射频芯片的32MHz晶体谐振器以及天线，均集成在一个紧凑的模块中 (8.95mm x 13.35mm x 1.7mm)。RL78/G1D的功能引脚可用于调制解调器配置或利用微控制器的优势进行嵌入式配置。

RL78/G1D MCU的工作温度范围为-25°C至75°C，已获得无线电法规（日本、FCC、IC和CE）和蓝牙SIG认证。

特性

低功耗技术（3.0V/MCU零件：STOP）
- 射频发射器有源：4.3mA（典型值）
- 射频接收器有源：3.5mA（典型值）
- 射频睡眠（POWER_DOWN模式）工作：0.3μA（典型值）
片上射频收发器
- 蓝牙v4.2规范（低功耗单模）
- 2.4GHz ISM频段、GFSK调制、TDMA/TDD跳频（包括AES加密电路）
- 适应能力，专门用作从器件运行
- 单端射频接口
16位RL78-S2 CPU内核
- CISC架构 (Harvard)，带3级流水线
- 最短指令执行时间：可以从高速0.03125μs（32MHz运行，高速片上振荡器）改为超低速30.5μs（32.768kHz运行）（带子系统时钟）
- 乘法签名和未签名：16 x 16至32位结果实现1个时钟周期
- 单线片上调试功能
主闪存
- 128KB/192KB/256KB（块尺寸：1KB）
- 片上单电压闪存，可防止块擦除/写入
- 自编程（具有安全启动交换功能和闪存屏蔽窗口功能）
数据闪存
- 数据闪存，可后台操作
- 数据闪存大小：8KB（擦除块尺寸：1KB）
- 擦除周期：100万次（典型值）
- 擦除/编程电压：1.8V至3.6V
RAM
- 大小：12KB/16KB/20KB
- 支持操作数或指令
- 所有模式下均具有备份保持功能
片上振荡器
- MCU用高精度片上振荡器
- MCU用15kHz低速片上振荡器
- 32.768kHz片上振荡器，用于射频慢速时钟

数据内存存取 (DMA) 控制器
- 多达4个完全可编程通道
- 传输单元：8位或16位
多通信接口
- 2个简易I²C
- 2个CSI（7位、8位）
- 2个UART（7位、8位、9位）
- I²C
电源电压管理
- 低电压检测 (LVD)，具有12个设置选项（通知中断和/或复位功能）
- 上电复位 (POR) 监视器/生成器
扩展功能定时器
- 多功能16位定时器：8通道
- 实时时钟 (RTC)：1通道（完整日历和报警功能，带手表校正功能）
- 间隔定时器：12位，1通道
- 看门狗定时器：1通道（窗口功能）
丰富的模拟
- 8/10位分辨率模数转换器（VDD=1.6至3.6V）
- 模拟输入：8通道
- 内部电压基准 (1.45 V) 和温度传感器
安全功能
- 符合IEC60730和IEC61508安全标准
通用I/O
- I/O端口：32个（N通道开漏I/O [耐受6V电压]：2个N通道开漏I/O [VDD耐压]：9个
- 支持不同的潜在接口：可连接1.8/2.5V器件
待机功能
- MCU部分：低功耗模式：HALT、STOP节能模式：SNOOZE
- 射频部件：低功耗省电模式，具有6个设置（最小0.1μA）
工作电压范围/环境工作温度范围
- 1.6V至3.6V/–40°C至+85°C
封装类型和引脚数
- 48引脚HWQFN (6mm × 6mm) （0.4mm脚距）