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ROHM Semiconductor
RFC02MM2STR超快恢复二极管 - ROHM
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ROHM Semiconductor RFC02MM2STR超快恢复二极管
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ROHM Semiconductor RFC02MM2STR超快恢复二极管具有低正向电压、低电容和高速开关特性。该恢复二极管采用硅外延平面型结构。RFC02MM2STR二极管具有200V重复峰值反向电压、1μA反向电流以及10A非重复正向浪涌电流。当正向电流为0.5A时,该恢复二极管的正向电压范围为0.75V至0.95V。RFC02MM2STR超快恢复二极管非常适合用于一般整流。
特性
低正向电压
硅外延平面结构类型
低电容
高速开关
规范
重复峰值反向电压:200V
反向电流:1μA
非重复正向浪涌电流:10A
正向电压范围:0.75V至0.95V(I
F
=0.5A时)
储存温度范围:-55°C至150°C
结温:150°C
应用
一般整流
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ROHM Semiconductor
发布日期: 2021-02-26 | 更新日期: 2022-03-11