ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET是一款车规级MOSFET，其额定漏源电压 (VDSS) 为-60V，额定漏极连续电流 (ID) 为±36A，符合AEC-Q101认证要求。漏源导通电阻 [RDS(ON)] 为41mΩ（最大值，VGS = -10V，ID = -20A时），采用3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) 封装。ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA MOSFET非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息、照明和车身应用。
特性
- 可湿性侧翼产品
- 符合AEC-Q101认证要求
- 100%经雪崩测试
应用
- ADAS
- 信息
- 照明
- 车身
规范
- 漏源导通电阻 [RDS(ON)]
- 41mΩ（最大值，VGS = -10V，ID = -20A）
- 47mΩ（最大值，VGS = -4.5V，ID = -10A）
- 耗散功率 (PD)：62W
- 总栅极电荷 (Qg)
- 35.0nC（典型值，VDD = -30V、ID = -10A、VGS = -10V）
- 16.0nC（典型值，VDD =-30V，ID = -10A，VGS = -4.5V）
- 结温 (Tj)：+175°C
电路图
封装图
发布日期: 2025-07-25
| 更新日期: 2025-08-19