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STMicroelectronics H6/F6 汽车用 P 沟道 MOSFET

意法半导体 H6/F6 汽车用 P 沟道 MOSFET 采用 STripFET™ H6/F6 技术开发而成， 具有全新的沟槽栅极结构。这样无论采用何种封装 功率 MOSFET 均具有非常低的 RDS(on) 。

特性

  • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
  • Low on-resistance
  • Low gate charge
  • High avalanche ruggedness
  • Low gate drive power loss

规范

  • -40VDS
  • 15mΩ maximum RDS(on)
  • -50A ID
发布日期: 2015-08-24 | 更新日期: 2022-03-11