Texas Instruments NexFET P通道功率MOSFET
Texas Instruments NexFET P通道功率MOSFET外形极为纤薄，采用超小外形尺寸封装，设计用于实现尽可能低的导通电阻和栅极电荷，具有出色的散热特性。这些NexFET MOSFET具有超低导通电阻以及超低Qg和Qgd，外形尺寸仅为1.0mm x 1.5mm。
特性
- 超低导通电阻
- 超低Qg和Qgd
- 1.0mm×1.5mm的小尺寸封装
- 薄型（高0.62mm）
- 无铅
- 栅极-源极电压钳位
- 栅极ESD保护 - 3KV
- 符合RoHS指令
- 无卤素
应用
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
功能图
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Texas Instruments NexFET™功率MOSFET
能够实现90%的供电效率并使频率加倍。
发布日期: 2019-04-18
| 更新日期: 2023-08-21