Toshiba DF2xxM5CT ESD保护二极管
Toshiba DF2xxM5CT ESD保护二极管保护移动设备接口和其他应用中使用的半导体器件免受静电和噪声的影响。这些ESD保护二极管利用了快速恢复特性，具有低动态电阻和出色的保护性能。
Toshiba DF2xxM5CT ESD保护二极管采用超紧凑型1.0mm × 0.6mm封装。采用紧凑型封装，适合用于高密度电路板布局，例如移动设备
特性
- 适合用于3.3V或5V信号线路
- 保护器件，具有高ESD性能（VESD = ±20kV（触点/空气）@ IEC61000-4-2）
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声的影响
- 实现低钳位电压的快速恢复特性可以保护半导体器件
- 1.0mm × 0.6mm CST2紧凑型封装
应用
- 移动设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 笔记本电脑
- 台式电脑
DF2S5M5CT和DF2S6M5CT的电路图
DF2B5M5CT和DF2B6M5CT的电路图
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| DF2B6M5CT,L3F |  |
ESD保护二极管/TVS二极管 Bidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), VRWM:+/-5.0 V, CT:0.3-0.45pF, SOD-882(CST2) |
| DF2S6M5CT,L3F | |
ESD保护二极管/TVS二极管 Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), VRWM:5.0 V, CT:0.6-0.9pF, SOD-882(CST2) |
| DF2B5M5CT,L3F | |
ESD保护二极管/TVS二极管 Bidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), VRWM:+/-3.3 V, CT:0.3-0.45pF, SOD-882(CST2) |
| DF2B6M4BSL,L3F | |
ESD保护二极管/TVS二极管 ESD 5.5V BI |
| DF2S5M5CT,L3F | |
ESD保护二极管/TVS二极管 Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), VRWM:3.3 V, CT:0.6-0.9pF, SOD-882(CST2) |
发布日期: 2022-01-10
| 更新日期: 2022-04-19