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Toshiba SSM6L56FE硅P/N通道MOSFET

Toshiba SSM6L56FE硅P/N通道MOSFET设计用于高速开关。 SSM6L56FE MOSFET具有1.5V驱动电压和低漏源导通电阻。

特性

  • 1.5V驱动
  • 低漏源导通电阻
  • Q1 N沟道：
    • RDS(ON)=235mΩ（最大值）（VGS=4.5V，ID=800mA）
    • RDS(ON)=300mΩ（最大值）（VGS=2.5V，ID=600mA）
    • RDS(ON)=480mΩ（最大值）（VGS=1.8V，ID=200mA时）
    • RDS(ON)=840mΩ（最大值）（VGS=1.5V，ID=50mA）
  • Q2 P沟道：
    • RDS(ON)=390mΩ（最大值）（VGS=-4.5V，ID=-800mA）
    • RDS(ON)=480mΩ（最大值）（VGS=-2.5V，ID=-500mA）
    • RDS(ON)=660mΩ（最大值）（VGS=-1.8V，ID=-200mA时）
    • RDS(ON)=900mΩ（最大值）(VGS=-1.5V，ID=-100mA)
    • RDS(ON)=4000mΩ（最大值）（VGS=-1.2V，ID=-10mA）

封装和内部电路

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发布日期: 2020-10-14 | 更新日期: 2024-11-25