Toshiba TK065Z65Z硅N沟道MOSFET

Toshiba TK065Z65Z硅N沟道MOSFET是功耗为270W的MOSFET，具有高速开关特性和较低电容。  该功率MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，漏极-源极导通电阻低至0.054Ω 。TK065Z65Z MOSFET具有3V至4V增强模式、38A连续漏极电流（150 °C时）以及650V漏极-源极击穿电压。    典型应用包括开关电源。