Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET

Toshiba XPQR3004PB 40V MOSFET具有0.23mΩ(典型值)的RDS(ON)、400A能力,以及2V至3V的阈值电压(Vth)。其他功能包括+175°C最大工作温度和10µA最大漏电流(VDS = 40V)。Toshiba XPQR3004PB MOSFET采用L-TOGL封装,具有0.2°C/W的热阻抗和750W耗散功率。该设备经过AEC-Q101认证,非常适合汽车应用、开关电压稳压器、电机驱动器和DC-DC转换器。

规范

  • 符合AEC-Q101标准
  • 400A漏极电流 (DC)
  • 40V漏极-源极电压
  • 功率耗散:750W
  • 低漏源导通电阻RDS(ON) = 0.23mΩ典型值(VGS = 10V)
  • 热阻:0.2°C/W
  • 最大漏电流:10µA(VDS = 40V)
  • 增强模式:2V至3V(VDS = 10V,ID=1mA)
  • 单脉冲雪崩能量:624mJ
  • 175°C最大工作温度
  • 存放温度范围:-55°C至+175°C

应用

  • 汽车
  • 开关稳压器
  • 电机驱动器
  • DC-DC转换器

视频

开关时间测试电路

应用电路图 - Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET

封装与内部电路

位置电路 - Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET

尺寸(mm)

机械图纸 - Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET
发布日期: 2023-02-01 | 更新日期: 2025-08-06