Vishay SiZ240DT双N沟道40V (D-S) MOSFET
Vishay SiZ240DT双N沟道 40V (D-S) MOSFET采用TrenchFET ® Gen IV功率MOSFET技术，在一个紧凑型PowerPAIR® 3.3mm2封装中集成了高侧和低侧MOSFET。SiZ240DT具有同类最佳的导通电阻和导通电阻时间栅极电荷，以及功率转换应用中采用的MOSFET的关键品质因数 (FOM)。
SiZ240DT中的两个TrenchFET MOSFET内部采用半桥配置连接。SiZ240DT的通道1 MOSFET通常用作同步降压转换器中的控制开关，其最大导通电阻为8.05mΩ（10V时）和12.25mΩ（4.5V时）。通道2 MOSFET通常是一个同步开关，其导通电阻为8.41mΩ（10V时）和13.30mΩ（4.5V时）。搭配6.9nC（通道1）和6.5nC（通道2）低栅极电荷时，由此产生的导通电阻时间栅极电荷FOM可为快速开关应用带来高效率。
SiZ240DT采用无线内部结构，可最大限度地降低寄生电感，从而实现高频开关，因此减小磁性元件和最终设计的尺寸。其经过优化的栅极-漏极电荷 (Qgd) 与栅极-源极电荷 (Qgs ) 比可降低噪声，进一步增强器件的开关特性。SiZ240DT 100%通过Rg和UIS测试，符合RoHS指令，不含卤素。
特性
- TrenchFET Gen IV功率MOSFET
- 集成MOSFET半桥功率极
- 100%经过Rg和UIS测试
- 经过优化的Qgd/Qgs比提高了开关特性
- 漏极-源极电压：40V/40V
- 栅极-源极电压：+20V/-16V
- 栅极电荷：6.9nC/6.5nC（4.5V时）
- 导通电阻：12.25mΩ/13.30mΩ（4.5V时）
- 连续漏极电流：27A/27A（TC=25°C时）
- 脉冲漏极电流：100A/100A（100μs脉冲宽度）
- 最大功耗：4.3W（TC=25°C时）
- 工作结温和储存温度范围：-55°C至+150°C
- 3.3mm x 3.3mm PowerPAIR 3 x 3S封装
- 符合RoHS指令，无铅、无卤
应用
- 同步降压转换器
- 电信直流-直流系统
- 负载点功率调节
- 电机驱动控制
引脚分配和原理图
封装外形
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发布日期: 2020-10-19
| 更新日期: 2024-12-23