德州仪器 LM74610-Q1 智能二极管控制器

德州仪器 LM74610-Q1 智能二极管控制器在贸泽电子有售，是一款控制器，可以与 N 沟道 MOSFET 一起用于反极性保护电路。其设计用于驱动外部 MOSFET，以便在与电源串联时模拟理想二极管镇流器。此方案的独特优势在于不以接地为参考，因此 Iq 为零。LM74610-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动。它还具有快速响应的内部比较器，可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。这个快速下拉特性可在感测到反极性时限制反向电流的大小和时间。该器件采用合适的 TVS 二极管，符合 CISPR25 5 级 EMI 规范及汽车类 ISO7637 瞬态要求。

LM74610-DQEVM 评估模块（EVM）

德州仪器 LM74610-DQEVM 评估模块（EVM）展示了二极管 OR-ing 配置中用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。此反极性解决方案采用两个 LM74610 智能二极管控制器来驱动两个 40V（VDS）外部 N 沟道 MOSFET。LM74610-DQEVM 与两个独立电压轨或电源串联时模拟理想的 OR-ing 属性。此 OR-ing 控制器可用 MOSFET 代替配电网络中的二极管镇流器，从而降低功耗损失和压降。当在任何输入中感测到负电压时，LM74610 会拉下 MOSFET 栅级，并将接电负载与电源隔离。输出电压继续随更高的正电压变化。用于两个输入的 TVS 电压箝位二极管使 LM74610-DQEVM 可安全测试 ISO7637 瞬态脉冲。

LM74610-SQEVM 评估模块（EVM）

德州仪器 LM74610-SQEVM 评估模块（EVM）展示了用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。此反极性解决方案采用 LM74610 智能二极管控制器作为 40V（VDS）外部 N 沟道 MOSFET 的栅级驱动。LM74610-SQEVM 与电源串联时模拟理想的二极管属性。当在任何输入中感测到负电压时，LM74610 会拉下 MOSFET 栅级，并将接电负载与电源隔离。TVS 电压箝位二极管 D1_1 和 D1_2 使 LM74610-SQEVM 可安全测试 ISO7637 瞬态脉冲。