GS81314LQ18GK-106

Name: GSI Technology GS81314LQ18GK-106
Brand: GSI Technology
SKU: 464-GS81314LQ18GK106
Price: 3879.45 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

464-GS81314LQ18GK106

制造商编号：

GS81314LQ18GK-106

制造商：

GSI Technology

说明：

静态随机存取存储器 1.2/1.25V 8M x 18 144M

数据表:

GS81314LQ18GK-106 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	GSI Technology
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	144 Mbit
组织:	8 M x 18
最大时钟频率:	1.066 GHz
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	1.35 V
电源电压-最小:	1.2 V
电源电流—最大值:	2.3 A
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	BGA-260
封装:	Tray
商标:	GSI Technology
存储类型:	QDR-IVe
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	GS81314LQ18GK
工厂包装数量:	10
子类别:	Memory & Data Storage
商标名:	SigmaQuad-IVe
类型:	SigmaQuad-IVe B2

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.b

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SigmaQuad-IVe ECCRAMs

GSI Technology SigmaQuad-IVe ECCRAMs are the Separate I/O half of the SigmaQuad-IVe/SigmaDDR-IVe family of high performance ECCRAMs. The devices are similar to GSI's third generation of networking SRAMs but offer several new features that help enable significantly higher performance. GSI's ECCRAMs implement an ECC algorithm that detects and corrects all single-bit memory errors, including those induced by SER events. These events include cosmic rays, alpha particles, etc. The resulting Soft Error Rate of these devices is anticipated to be <0.002 FITs/Mb. A 5-order-of-magnitude improvement over comparable SRAMs with no on-chip ECC, which typically have an SER of 200FITs/Mb or more.

Quad SRAMs

GSI Technology Quad SRAMs combine capacity and performance with the ability to transfer four beats of data (two beats per data bus) in a single clock cycle. SigmaQuad SRAMs are synchronous memories with separate read and write data buses with unequaled transaction rates by competitors.