IXFN170N65X2

Name: IXYS IXFN170N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN170N65X2
Price: 464.01 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXFN170N65X2

制造商编号：

IXFN170N65X2

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET模块 650V/170A miniBLOC SOT-227

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

IXFN170N65X2 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	170 A
Rds On-漏源导通电阻:	13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.17 kW
系列:	650V Ultra Junction X2
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	6 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	15 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	HiPerFET
类型:	HiperFET
典型关闭延迟时间:	133 ns
典型接通延迟时间:	60 ns
Vr - 反向电压 :	100 V
单位重量:	30 g

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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