CY62146EV30LL-45BVXI

Infineon Technologies
727-CY46EV30LL45BVXI
CY62146EV30LL-45BVXI

制造商：

说明：
静态随机存取存储器 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP 静态随机存取存储器

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
4 Mbit
256 k x 16
45 ns
Parallel
3.6 V
2.2 V
20 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
VFBGA-48
Tray
商标: Infineon Technologies
存储类型: Volatile
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: CY62146EV30LL
工厂包装数量: 960
子类别: Memory & Data Storage
商标名: MoBL
类型: Asynchronous
单位重量: 223.200 mg
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已选择的属性: 0

数据表

EOL

合规代码
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
8542320194
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
中国台湾
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Asynchronous SRAM

Infineon Technologies Asynchronous SRAM comes in a broad range of fast asynchronous and low-power asynchronous SRAM (MoBL™) devices. Designers use Asynchronous SRAMs in various industrial, medical, commercial, automotive, and military applications requiring the highest reliability and performance standards.

MOBL™ Async SRAMs

Infineon Technologies MOBL™ Async SRAM devices comprise a broad portfolio with densities ranging from 64Kb to 64Mb. The MOBL SRAMs are available in industry-standard voltage, bus width, and package options. The devices offer Standby Power Dissipation (maximum) specifications. The MOBL Asynchronous SRAMs are ideal for battery-powered and battery-backed solutions across various application segments. The MOBL SRAM devices are available in industrial, automotive, and radiation-hardened temperature grades.

库存量: 306

库存：
306 可立即发货
生产周期：
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥49.1324 ¥49.13
¥45.8215 ¥458.22
¥44.4203 ¥1,110.51
¥43.3468 ¥2,167.34
¥42.3524 ¥4,235.24
¥41.0303 ¥10,257.58
¥39.9568 ¥19,978.40
¥38.9624 ¥37,403.90
2,880 报价

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