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现货

RoHS

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IRF1010EPBF

Infineon Technologies

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

942-IRF1010EPBF

制造商编号：

IRF1010EPBF

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

IRF1010EPBF 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	84 A
Rds On-漏源导通电阻:	12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	130 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	200 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IRF1010EPBF 数据表 (PDF)

Models

Saber Model - IRF1010E (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF1010E

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 中国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 1,705

库存：: 1,705 可立即发货

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生产周期：: 20 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥16.2155	¥16.22
	¥7.7631	¥77.63
	¥6.7122	¥671.22
	¥5.3788	¥2,689.40
	¥5.311	¥5,311.00
	¥4.8364	¥9,672.80
	¥4.7121	¥23,560.50
	¥4.4635	¥44,635.00