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MSC030SDA120K

Name: Microchip MSC030SDA120K
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC030SDA120K
Price: 75.62 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

494-MSC030SDA120K

制造商编号：

MSC030SDA120K

制造商：

Microchip Technology

说明：

碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-220

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-2
配置:	Single
If - 正向电流:	30 A
Vrrm - 重复反向电压:	1.2 kV
Vf - 正向电压:	1.5 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	165 A
Ir - 反向电流 :	200 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	1.2 kV
系列:	MSC0
封装:	Tube
商标:	Microchip Technology
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	50
子类别:	Diodes & Rectifiers

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合规代码

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

碳化硅 (SiC) 半导体

Microchip Technology 的碳化硅 (SiC) 半导体是电力电子设计人员的创新选择，可提高系统效率、缩小外形尺寸并提高产品的工作温度，适用于工业、医疗、军事/航空航天、航空和通信等细分市场。Microchip的下一代碳化硅（SiC）MOSFET和碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）在设计上具有高重复无钳位电感开关（UIS）能力，其碳化硅MOSFET在约10J/cm² 至15J/cm² 时保持高UIS能力，在3ms至5ms时保持稳健的短路保护能力。Microchip Technology碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 在低反向电流时具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，可降低开关损耗。此外，碳化硅 (SiC) MOSFET和碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 还可配对用于模块中。

碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管

Microsemi/Microchip (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有出色的动态性能和热性能，优于传统的硅功率二极管。碳化硅势垒二极管由硅 (Si) 和碳 (C) 组成。与纯硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷，可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关，可确保稳定的高温性能。