MSCSM330AM07CD3NG

Name: Microchip MSCSM330AM07CD3NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSCSM33007CD3NG
Price: 7202.51 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

579-MSCSM33007CD3NG

制造商编号：

MSCSM330AM07CD3NG

制造商：

Microchip Technology

说明：

MOSFET模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-D3

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

MSCSM330AM07CD3NG 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	HV-D3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	3.3 kV
Id-连续漏极电流:	295 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.7 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	1.918 kW
商标:	Microchip Technology
下降时间:	98 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	65 ns
工厂包装数量:	1
子类别:	Discrete and Power Modules
典型关闭延迟时间:	405 ns
典型接通延迟时间:	127 ns
Vr - 反向电压 :	3.3 kV

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数据表

MSCSM330AM07CD3NG 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

HV-D3 mSiC®功率模块

Microchip Technology HV-D3 mSiC^®功率模块可简化并加速在AI超大规模数据中心和其他高压电源应用中采用固态变压器（SST）。这些高效功率模块将3.3kV碳化硅（SiC）mSiC MOSFET和Schottky二极管集成在行业62mm的封装中。这种设计结构可实现从中压电网直接向服务器机架高效供电。HV-D3模块具有低开关损耗、强大的散热性能和高功率密度，适用于要求苛刻的应用。Microchip Technology HV-D3 mSiC功率模块的典型应用包括电力传输和分配、工业电源、数据中心、海洋和航空航天、电动汽车（EV）基础设施以及可再生能源系统。