STGFW80V60F

Name: STMicroelectronics STGFW80V60F
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGFW80V60F
Price: 52.41 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STGFW80V60F

制造商编号：

STGFW80V60F

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) PTD IGBT & IPM

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寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

STGFW80V60F 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-3PF
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.85 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	120 A
Pd-功率耗散:	79 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STGFW80V60F
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	300
子类别:	IGBTs
单位重量:	7 g

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