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STGP7H60DF

Name: STMicroelectronics STGP7H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP7H60DF
Price: 4.19 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STGP7H60DF

制造商编号：

STGP7H60DF

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-220-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.95 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	14 A
Pd-功率耗散:	88 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STGP7H60DF
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic:	14 A
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
高度:	4.6 mm
长度:	15.85 mm
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
宽度:	10.4 mm
单位重量:	6 g

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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